| 摘要 |
본 발명은 위치규칙적인 중합체, 특히 높은 위치규칙성을 갖는 상단-에서-말단(HT) 폴리-(3-치환된) 티오펜의 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 신규한 중합체, 필드 효과 트랜지스터(FET), 전장발광체, 광전지 및 센서 장치를 포함하는 광학, 전기광학, 또는 전자 장치에서 반도체 또는 전하 수송 물질로서 신규한 중합체의 용도, 신규한 중합체를 포함하는 FET 및 기타 반도체성 성분 또는 물질, 말단캡핑된 중합체의 제조방법 및 이로써 수득된 말단캡핑된 중합체 및 상기 장치에서 이들의 용도에 관한 것이다. |
