能够改变纠错码码长的半导体存储装置

摘要

在存储单元阵列中的数据存储单元阵列和奇偶校验存储单元阵列具有能与多种ECC码长对应的结构。根据该多种ECC码长，构造由写数据产生奇偶校验的输入侧奇偶校验产生电路、由读数据产生奇偶校验的输出侧奇偶校验产生电路和由读奇偶校验位和产生的奇偶校验位产生表示错误位的缺陷状况位的缺陷状况产生电路，以便能够转换。

主权项

一种具有纠错功能的半导体存储装置，包括：数据存储单元阵列，其包括多个存储单元，并响应于字选择，相对于数据总线输入和输出2I位的数据，其中I是大于等于2的整数；奇偶校验存储单元阵列，其包括多个存储单元，并响应于字选择，相对于奇偶校验总线输入和输出奇偶校验位，所述奇偶校验位的位数与所述2I位数据相对应；数据I/O端；奇偶校验产生电路，其由从所述数据I/O端输入的2I位写数据产生所述奇偶校验位，并输出所述奇偶校验位至所述奇偶校验总线；缺陷状况产生电路，其由从所述奇偶校验存储单元阵列读到所述奇偶校验总线的奇偶校验位和从所述数据存储单元阵列读到所述数据总线的2I位读数据，产生表示所述读数据中错误位位置的缺陷状况位；纠错电路，其基于所述缺陷状况位纠正所述读数据中的错误；以及转换控制部，其产生控制所述奇偶校验产生电路和所述缺陷状况产生电路转换的转换控制信号，其中所述奇偶校验产生电路和缺陷状况产生电路被构造为响应于所述转换控制信号而转换到具有2I位数据和I+1位奇偶校验位的第一ECC或具有2J组的2(I‑J)位数据和I‑J+1位的奇偶校验位的第二ECC，其中I＞J并且J是大于等于1的整数。