| 摘要 |
본 발명은 반도체장치 및 전원시스템에 관한 것으로서, 하이 사이드 스위치의 게이트를 구동하는 경로와 주전류 경로를 분리하는 것에 의해 전압 변환 효율을 큰폭으로 향상시킨다. 파워 MOS-FET(1)는 예를 들어, 비절연형 DC/DC컨버터의 하이 사이드 스위치용 트랜지스터로서 이용된다. 이 파워 M0S-FET1의 소스 단자(ST)가 되는 전극부는 본딩 와이어(W)를 개입시켜 1개의 아웃터 리드(LS1) 및 2개의 아웃터리드(LS2)에 각각 접속되어 있다. 아웃터 리드(LS1)는 게이트를 구동하는 경로에 접속되는 외부 단자이고, 아웃터 리드(LS2)는 주전류 경로에 접속되는 외부 단자이다. 주전류 경로와 게이트 구동용 경로를 분리해 접속하는 것에 의해, 기생 인덕턴스의 영향을 저감 하여, 전압 변환 효율을 향상할 수가 있다. |
