发明名称 In-Situ Monitoring Apparatus of Wafer Thin Film Depositing Device Having Plurality of Wafer Pocket
摘要 <p>웨이퍼와, 상기 웨이퍼를 홀딩할 수 있는 포켓을 포함하는 서셉터와, 상기 서셉터를 포함하는 처리챔버를 포함하며, 상기 처리챔버의 상부에 위치하여 상기 서셉터상의 웨이퍼의 온도 및 박막성장률을 측정할 수 있는 복사온도측정장치와, 상기 복사온도측정장치로부터 수신된 값을 모니터링할 수 있도록 하는 인시츄(in-situ)모니터링부를 포함함으로써, 상기 서셉터의 회전과 동기화되어 상기 복사온도측정장치가 상기 챔버의 가이드라인을 따라 X축방향으로 이동할 수 있도록 함으로써, 서셉터 상부에 포함되는 웨이퍼의 온도 및 박막성장률을 실시간으로 측정할 수 있도록 하며, 상기 복사온도측정장치에 모션콘크롤러를 포함하여 상기 복사온도측정장치가 X축으로 이동할 수 있도록 하여 서셉터상에 한열이 아닌 복수열의 웨이퍼를 형성하여도 전 영역을 외측부터 나선형 형태로 스캔할 수 있어 서셉터상의 원하는 웨이퍼를 지정하여 온도 및 성장률을 측정할 수 있도록 하는 복수열의 웨이퍼포켓을 갖는 웨이퍼 박막증착장비의 인시츄 모니터링 장치에 관한 것이다.</p>
申请公布号 KR101116859(B1) 申请公布日期 2012.03.06
申请号 KR20100058880 申请日期 2010.06.22
申请人 发明人
分类号 H01L21/205;H01L21/66 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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