| 发明名称 |
METHOD FOR IMPROVING NITROGEN PROFILE IN PLASMA NITRIDED GATE DIELECTRIC LAYERS |
| 摘要 |
<p>본 발명은 하나의 시스템의 임의의 챔버에서 플라즈마 질화된 게이트 유전체막이 연속적으로 동일한 시스템의 또 다른 챔버에서 가열되거나 또는 어닐링되는 방법을 제공한다. 처리 지연은 상기 시스템에서 처리된 모든 웨이퍼들이 동일한 질소량을 갖도록 제어될 수 있다.</p> |
| 申请公布号 |
KR101118462(B1) |
申请公布日期 |
2012.03.06 |
| 申请号 |
KR20047017831 |
申请日期 |
2003.06.12 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/00;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/324;H01L29/51;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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