发明名称 method of manufacturing copper compacts for sputtering target
摘要 <p>본 발명은 스퍼터링 타겟용 구리 소결체의 제조방법에 관한 것으로서, 구리 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 충진하는 단계와, 구리 분말이 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버 내에 장착하는 단계와, 챔버 내부를 진공화하는 단계와, 몰드 내의 구리에 10Mpa의 압력을 유지하면서 목표온도에 도달시까지 30℃/min 내지 80℃/min의 승온 속도로 승온시키는 단계와, 구리의 온도가 600 내지 900℃ 범위 내에서 설정된 목표온도에 도달하면 몰드 내의 구리에 50 내지 60MPa의 가압력을 유지하면서 목표온도를 2 내지 10분 동안 더 유지하여 성형하는 단계와, 몰드 내의 구리에 50 내지 60Mpa의 가압력을 유지하면서 챔버 내부를 냉각하는 단계를 포함한다. 이러한 스퍼터링 타겟용 구리 소결체 제조방법에 의하면, 타겟용에 적합하게 입자의 미세화가 가능하고 균질한 조직과 고밀도를 갖는 구리 스퍼터링 타겟재를 제공할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101116908(B1) 申请公布日期 2012.03.06
申请号 KR20100020950 申请日期 2010.03.09
申请人 发明人
分类号 B22F3/105;B22F3/12 主分类号 B22F3/105
代理机构 代理人
主权项
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