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<p>퓨즈의 리페어 효율을 높일 수 있는 반도체 장치가 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면에 따르면, 폴디드 비트라인 구조의 반도체 메모리 장치에 있어서, 다수의 노멀 워드라인; 적어도 2n개의 리던던시 워드라인(n은 자연수); 어드레스를 입력받아 상기 다수의 노멀 워드라인을 선택적으로 활성화시키기 위한 로우 어드레스 디코딩 회로; 및 상기 노멀 워드라인 중 결함이 발생한 2개의 인접한 노멀 워드라인을 2개의 인접한 리던던시 워드라인으로 대체하도록 제어하는 제어부를 구비하며, 상기 제어부는 활성화되는 상기 2개의 인접한 리던던시 워드라인에 연결된 메모리 셀의 해당 비트라인에 대한 상호 배치 방향과 상기 2개의 인접한 노멀 워드라인에 연결된 메모리 셀의 상기 해당 비트라인에 대한 상호 배치 방향이 일치하는지 판단하여, 일치하지 않으면 상기 2개의 리던던시 워드라인에 대응하는 어드레스의 비트 신호를 반전하여 상기 로우 어드레스 디코딩 회로로 제공하는 반도체 메모리 장치가 제공된다.</p> |
