发明名称 CRYSTALLIZATION METHOD OF AMORPHOUS SILICON LAYER, AND THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR THE SAME
摘要 <p>본 발명은 비정질 실리콘막의 결정화 방법, 그리고 이를 적용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 결정화 방법은, 비정질 실리콘막을 형성하는 단계, 비정질 실리콘막 위에 서로 이격되도록 결정화 촉매 입자들을 위치시키는 단계, 비정질 실리콘막에서 결정화 촉매 입자들을 선택적으로 제거하는 단계 및 비정질 실리콘막을 열처리에 의해 결정화하는 단계를 포함한다.</p>
申请公布号 KR101117643(B1) 申请公布日期 2012.03.05
申请号 KR20100032337 申请日期 2010.04.08
申请人 发明人
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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