| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 기판 상에 게이트라인 및 데이터라인과 접속된 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 접속된 화소전극을 형성하는 단계와; 상기 화소전극과 수평전계를 이루는 공통전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 화소전극 및 공통전극 중 적어도 어느 하나는 불투명한 도전 물질로 형성되며, 상기 불투명한 도전 물질은 0%~80%의 투과율을 가지는 인듐 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드, 인듐 틴 징크 옥사이드 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.</p> |
