| 摘要 |
<p>본 발명은 DLC(Diamond-Like Carbon)를 이용한 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 및 그의 성장 방법에 관한 것으로, 촉매금속 없이 탄소나노튜브를 성장시킬 수 있는 DLC를 이용한 탄소나노튜브 및 그의 성장 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명은 플라즈마 화학기상증착법을 이용한 탄소나노튜브 성장 방법으로, 프로세스 챔버에 투입된 웨이퍼 위에 DLC 박막을 형성하고, DLC 박막을 분할하여 웨이퍼 위에 복수의 DLC 핵을 형성하고, DLC 핵을 씨(seed)로 탄소나노튜브를 성장시키는 DLC를 이용한 탄소나노튜브 성장 방법 및 그 성장 방법으로 성장된 탄소나노튜브를 제공한다. 본 발명에 따르면 촉매금속을 대신하여 DLC 박막을 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키기 때문에, 탄소나노튜브 이외에 이물질이 웨이퍼에 잔존하는 것을 최소화할 수 있다. 그리고 종래와 같이 촉매금속 대신에 탄소화화물의 일종인 DLC 박막을 사용하기 때문에, 정제 공정을 개선할 수 있어 탄소나노튜브의 제조 공정 시간과 제조 비용을 줄일 수 있다.</p> |
