| 摘要 |
<p>Un système de distribution d'alimentation électrique à semi-conducteur ayant un premier dispositif de commutation à semi-conducteur (M1) et un second dispositif de commutation à semi-conducteur (M2) pour distribuer une alimentation électrique d'une source d'alimentation de courant alternatif à une charge comprend un circuit de réduction d'intensité de fuite pour réduire l'intensité de fuite générée par les dispositifs de commutation à semi-conducteur lorsqu'ils sont à un état « Fermé ». Lorsque les premier et second dispositifs de commutation à semi-conducteur sont à l'état « Fermé », le circuit de réduction d'intensité de fuite fournit une tension de polarisation positive à travers des bornes commandées du premier dispositif de commutation à semi-conducteur et une tension de polarisation négative à travers des bornes commandées du second dispositif de commutation à semi-conducteur.</p> |
