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发明名称
具有不同材料之结构元件半导体电晶体及其制造方法
摘要
使用一半导体基板(14),形成一电晶体(10),并形成一控制电极(49),其覆盖该半导体基板。在该半导体基板内并邻近该控制电极,形成一第一电流电极(70)。该第一电流电极具有一第一预定半导体材料。一第二电流电极(84)在该半导体基板内并邻近该控制电极形成,以在该半导体基板内形成一通道(26)。该第二电流电极具有一第二预定半导体材料,其与该第一预定半导体材料不同。选择该第一预定半导体材料以最佳化该第一电流电极之能带隙能量,且选择该第二预定半导体材料以最佳化该通道之张力。
申请公布号
TWI359464
申请公布日期
2012.03.01
申请号
TW094126811
申请日期
2005.08.08
申请人
飞思卡尔半导体公司 美国
发明人
辛文业;蒂娜H 雀尤索;碧奇 彦 恩谷颜
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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