发光元件及其制造方法

摘要

本发明为了得到可藉由高效率发光而实现高输出发光之使用氮化物半导体的发光元件及其制造方法，具有GaN基板(1)及在此GaN基板(1)之第一主表面侧含有InAlGaN四元混晶之发光层(4)。