| 摘要 |
本发明提供一种多重量子井发光二极体结构，其于发光层之一侧设置有一载子提供层，以提供额外的载子给发光层参与重新结合，因此可以避免/降低在发光层内杂质的使用。该载子提供层系包含有多重交替堆叠之井层和位障层，这些井层和位障层各具有5~300 之厚度，而使载子提供层总厚度为1~500 nm。井层和位障层均系由掺杂有Si或Ge之AlpInqGa1－p－qN(p,q＞＝0,0＜＝p＋q＜＝1)化合物半导体所制成，但各具有不同之组成，其中位障层具有高于井层之能带隙。载子提供层之电子浓度系在1x1017~5x1021/cm3之间。 |
