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发明名称
制造反向T型浮动闸极记忆体之方法
摘要
本发明系揭露一种具有非矩型横截面浮动闸极之记忆装置。该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或一双反向T型。本发明亦揭露用来制造一浮动闸极记忆装置之方法,因为增加该浮动闸极表面积,而使该浮动闸极记忆装置具有一较高的耦合率。该记忆装置具有一横截面形状之浮动闸极,像是一反向T型,如此使得具有一顶轮廓为一非平坦的区段。
申请公布号
TWI359479
申请公布日期
2012.03.01
申请号
TW096148274
申请日期
2007.12.17
申请人
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号
发明人
赖二琨;施彦豪;薛铭祥
分类号
H01L21/8247
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
李贵敏 台北市松山区敦化北路168号15楼
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路16号
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