| 摘要 |
Procédé de gravure par la voie sèche présentant un rapport de sélection supérieur entre le matériau à traiter et le matériau sous-jacent, résultant d'une amélioration des gaz de réaction utilisés. Ces gaz de réaction consistent en un gaz de fluorure et en un gaz d'un composé contenant de l'hydrogène en tant qu'élément constitutif. Il est possible d'augmenter considérablement le rapport de sélection de gravure entre le matériau à traiter et le matériau sous-jacent, tout en empêchant ce dernier d'être gravé. Ce procédé convient à la production par gravure par la voie sèche de semi-conducteurs présentant un film d'oxyde de silicium sous le film de nitrure de silicium. |
