Hochspannungshalbleiterbauelemente

摘要

Bei einer Ausführungsform enthält das Halbleiterbauelement (10) eine erste Sourceelektrode (120) von einem ersten Dotiertyp, in einem Substrat (100) angeordnet. Eine erste Drainelektrode (130) vom ersten Datiertyp ist in dem Substrat (100) angeordnet. Eine erste Gateelektrode (140) ist zwischen der ersten Sourceelektrode (120) und der ersten Drainelektrode (130) angeordnet. Ein erstes Kanalgebiet (160) von einem zweiten Dotiertyp ist unter dem ersten Gategebiet (140) angeordnet. Der zweite Dotiertyp ist dem ersten Dotiertyp entgegengesetzt. Ein erstes Erweiterungsgebiet vom ersten Dotiertyp ist zwischen der ersten Gateelektrode (140) und der ersten Drainelektrode (130) angeordnet. Das erste Erweiterungsgebiet ist Teil einer in oder über dem Substrat (100) angeordneten ersten Finne (190). Ein erstes Isolationsgebiet ist zwischen dem ersten Erweiterungsgebiet und der ersten Drainelektrode angeordnet. Ein erstes Wannengebiet vom ersten Dotiertyp ist unter dem ersten Isolationsgebiet angeordnet. Das erste Wannengebiet koppelt das erste Erweiterungsgebiet elektrisch mit der ersten Drainelektrode (130).