Erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeit in p-Kanal Transistoren durch Vorsehen eines verspannungsinduzierenden schwellwerteinstellenden Halbleitermaterials im Kanal

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen werden Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; in einer frühen Fertigungsphase bereitgestellt, wobei die Schwellwertspannungseinstellung bewerkstelligt wird, indem zwei unterschiedliche Halbleitermaterialien auf dem Siliziumbasismaterial gebildet werden. Auf diese Weise können bessere Verformungsbedingungen in dem Kanalgebiet erreicht werden. Z. B. wird eine dünne Siliziummaterialschicht auf einer Silizium/Germanium-Materialschicht gebildet, die im Wesentlichen die resultierende Schwellwertspannung des p-Kanaltransistors bestimmt.