Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit einer SOI-Struktur und entsprechendes Halbleiterbauelement

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem SOI-Struktursubstrat, bei dem eine Isolierschicht (22) und eine Halbleiterschicht (23) auf einem Halbleiterwafer (21) in Abfolge ausgebildet werden, eine Gateisolierschicht (25) und ein Gate (26) auf dem SOI-Struktursubstrat ausgebildetfusionsbereich (27a, 27b) in der Halbleiterschicht (23) zu beiden Seiten des Gates (26) ausgebildet werden, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Feldoxidationsschichten (24) werden mit vorbestimmten Abschnitten der Halbleiterschicht ausgebildet, so dass zwischen den vorbestimmten Abschnitten ein aktiver Bereich ausgebildet wird, wobei die vorbestimmten Abschnitte unmittelbar auf der Isolierschicht (22) sind; danach wird die Gateisolierschicht (25) und das Gate (26) auf der Halbleiterschicht (23) zwischen den Feldoxidationsschichten (24) ausgebildet; eine Zwischenisolierschicht (28) wird auf einer gesamten Oberflache des SOI-Struktursubstrats ausgebildet; ein erstes Kontaktloch (29a) zum Freilegen eines vorbestimmten Abschnittes des ersten Störstellendiffusionsbereichs (27a) und ein zweites Kontaktloch (29b) zum Freilegen eines vorbestimmten Abschnittes...