GRABENSTRUKTUREN IN DIREKTEM KONTAKT

摘要

Eine Halbleiterstruktur (10) enthält ein Halbleitersubstrat (12) von einer ersten Leitfähigkeit, eine Epitaxialschicht (14) von einer zweiten Leitfähigkeit auf dem Substrat (12) und eine zwischen dem Substrat (12) und der Epitaxialschicht (14) angeordnete vergrabene Schicht (16) von der zweiten Leitfähigkeit. Eine erste Grabenstruktur (17) erstreckt sich durch die Epitaxialschicht (14) und die vergrabene Schicht (16) zu dem Substrat (12) und enthält eine Seitenwandisolation (22) und leitendes Material (24) in elektrischem Kontakt mit dem Substrat (12) an einem Boden (26) der ersten Grabenstruktur (17). Eine zweite Grabenstruktur (18) erstreckt sich durch die Epitaxialschicht (14) zu der vergrabenen Schicht (16) und enthält eine Seitenwandisolation (28) und leitendes Material (30) in elektrischem Kontakt mit der vergrabenen Schicht (16) an einem Boden (32) der zweiten Grabenstruktur (18). Ein Gebiet (38) aus Isoliermaterial erstreckt sich seitlich von dem leitenden Material (24) der ersten Grabenstruktur (17) zu dem leitenden Material (30) der zweiten Grabenstruktur (18) und erstreckt sich in Längsrichtung zu einer wesentlichen Tiefe (DT2) der zweiten Grabenstruktur (18).