| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Mehrebenenleiterplatte für Hochfrequenz-Anwendungen mit zumindest einem ersten Trägersubstrat (PCB1) aus hochfrequenzgeeignetem ersten Material und zumindest einem zweiten Trägersubstrat (PCB2, 3) aus einem zweiten Material mit demgegenüber höheren dielektrischen Verlusten. Es sind zumindest eine Signalleitungsstruktur (S1, C1) auf dem ersten Trägersubstrat (PCB1) und zumindest eine mit elektrischem Massepotential verbundene Masselage (M2) auf einer Seite zumindest eines zweiten Trägersubstrats (PCB2, PCB3) sowie elektrischen Durchkontaktierungen (V) durch die Trägersubstrate (PCB1, 2, 3 vorgesehen. Durch das zumindest eine zweite Trägersubstrat (PCB2, PCB3) zur Masselage (M2, M4) hin, vorzugsweise durch zwei Trägersubstrate aus 2. Material zu einer dazwischen liegenden Metallisierungsfläche wird eine Kapazität zur Ableitung hochfrequenter Leistung auf Massepotential ausgebildet, indem auf der der Masselage (M2, M4) gegenüberliegenden Seite des zweiten Trägersubstrats (PCB2, 4) eine Metallisierungsfläche (C3) mit einer der gewünschten Kapazität entsprechenden Größe ausgebildet und die Metallisierungsfläche (C3) über eine Durchkontaktierung (V(C1–C3)) mit der Signalleitungsstruktur (C1) verbunden ist. |
