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Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, mit den Schritten: Bilden eines Halbleitersubstrats (21); Bilden eines Unregelmäßigkeitsgebiets (27a) in einer LOCOS-Schicht (27) über dem Halbleitersubstrat (21), welches eine Unregelmäßigkeit in seiner Dicke aufweist und derart ausgebildet ist, dass es einen darauf fallenden Laserstrahl zerstreut; Bilden einer unteren Isolierschicht (34, 36) über dem Unregelmäßigkeitsgebiet (27a); Bilden eines Dünnschichtwiderstands (37) auf einem vorbestimmten Abschnitt der unteren Isolierschicht (34, 36), wobei der vorbestimmte Abschnitt über dem Unregelmäßigkeitsgebiet (27a) liegt; Bilden einer Elektrode (39) auf dem Dünnschichtwiderstand (37); Bilden einer oberen Isolierschicht (40) auf der unteren Isolierschicht (34, 36), um den Dünnschichtwiderstand (37) und die Elektrode zu bedecken; Bilden eines Kontaktlochs (40a) in der oberen Isolierschicht (40), um die Elektrode (39) für eine elektrische Kopplung mit dem Dünnschichtwiderstand (37) bloßzulegen; und Bilden einer oberen Verdrahtungsschicht (41) auf der oberen Isolierschicht (40) für eine elektrische Kopplung mit der Elektrode...
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