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Grabenstrukturhalbleitereinrichtung (10), – bei welcher ein Halbleitermaterialbereich (20) mit einem Oberflächenbereich (20a) ausgebildet ist, – bei welcher im Halbleitermaterialbereich (20) mindestens eine Grabenstruktur (30) mit einem Wandbereich (30w) und einem Bodenbereich (30b) ausgebildet ist, – bei welcher im Inneren (30i) der Grabenstruktur (30) eine Elektrodenanordnung (50) mit einer Mehrzahl von Feldelektrodeneinrichtungen (FP1, ..., FP4) ausgebildet ist, die über einen Isolationsbereich (40, 41, 42) zueinander und zum Wandbereich (30w) der Grabenstruktur (30) beabstandet und elektrisch isoliert sind, – bei welcher Paare (FPj, FPj+1) räumlich direkt benachbarter und in einem gemeinsamen Grenzflächenbereich (Ij) aneinander angrenzender und einander gegenüberstehender Feldelektrodeneinrichtungen (FP1, ..., FP1) relativ zueinander gezielt mit unterschiedlich starker paarweiser elektrischer Kopplung zwischen den Feldelektrodeneinrichtungen (FPj, FPj+1) der Paare (FPj, FPj+1) räumlich direkt benachbarter und in einem gemeinsamen Grenzflächenbereich (Ij) aneinander angrenzender und einander gegenüberstehender Feldelektrodeneinrichtungen (FP1, ..., FP4) aneinander ausgebildet sind, – bei welcher die unterschiedlich starke...
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