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MRAM mit – aktiven Regionen (105), die in einem Halbleitersubstrat angeordnet sind und jeweils durch eine Bauelementisolationsschicht (110) dadurch definiert sind, dass die Bauelementisolationsschicht (110) die aktiven Regionen (105) lateral begrenzt – wobei eine jeweilige aktive Region (105) jeweils durch einen Satz von Wortleitungen (120-1, 120-2), bestehend aus zwei Wortleitungen (120-1, 120-2), die sich über der jeweiligen aktiven Region erstrecken, in zwei Drainregionen (130-1, 130-2) und eine sich zwischen den Drainregionen (130-1, 130-2) befindliche Sourceregion (140) unterteilt wird; – Schreibwortleitungen (170), die sich parallel zu den Wortleitungen erstrecken; – aktive Regionen überlappende und sich senkrecht zu den Wortleitungen erstreckende Bitleitungen (190); – zwischen jeder zweiten Bitleitung (190) angeordnete und sich parallel zu den Bitleitungen (190) erstreckende Erdleitungen (145); und – an den Schnittpunkten der Bitleitungen (190) und der Schreibwortleitungen (170) angeordnete MTJ-Zellen (180-1, 180-2), wobei eine obere Oberfläche einer jeweiligen MTJ-Zelle (180-1,...
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