用于形成具有降低的等效氧化物厚度的高k栅极叠层的方法

摘要

本发明提供了一种用于形成半导体器件用的具有降低的等效氧化物厚度(EOT)的高k栅极叠层的方法。该方法包括：提供含硅的衬底；在所述含硅衬底上形成界面层，其中该界面层具有第一等效氧化物厚度；将第一高k膜沉积在所述界面层上；并且在形成改性界面层的温度下对所述第一高k膜和所述界面层进行热处理，其中改性界面层具有等于或低于所述第一等效氧化物厚度的第二等效氧化物厚度。该方法还包括将第二高k膜沉积在所述改性界面层上。根据一种实施方式，第一高k膜包含氧化镧而第二高k膜包含硅酸铪。

主权项

一种用于形成栅极电介质膜叠层的方法，所述方法包括：提供含硅的衬底；在所述含硅衬底上形成界面层，其中所述界面层具有第一等效氧化物厚度；将所述第一高k膜沉积在所述界面层上；在形成具有等于或低于所述第一等效氧化物厚度的第二等效氧化物厚度的改性界面层的温度下对所述第一高k膜和所述界面层进行热处理；并且将第二高k膜沉积在所述改性界面层上。