| 发明名称 | 栅极侧墙刻蚀方法、MOS器件制造方法以及MOS器件 | ||
| 摘要 | 提供了一种栅极侧墙刻蚀方法、MOS器件制造方法以及MOS器件。栅极侧墙刻蚀方法包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用光刻胶对露出的栅极的另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除光刻胶之后对栅极两侧的侧壁进行刻蚀。通过对器件源漏侧的栅极侧墙的不同刻蚀，使刻蚀后漏端的栅极侧墙宽度增大，源端的栅极侧墙宽度减小，漏端的掺杂离子离沟道距离被拉远，源端的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉近，降低了漏端的纵向电场强度，减小了器件热载流子注入的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN102364663A | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN201110355450.9 | 申请日期 | 2011.11.10 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 俞柳江;毛智彪 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种栅极侧墙刻蚀方法，其特征在于包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜；光刻胶涂覆步骤，用于将光刻胶涂覆在栅极上以覆盖栅极的一个侧壁并露出栅极的另一侧壁；第一侧壁刻蚀步骤，用于利用所述光刻胶对露出的栅极的所述另一侧壁进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除所述光刻胶；以及第二侧壁刻蚀步骤，用于在去除所述光刻胶之后对栅极两侧的侧壁进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||