PHOSPHOROUS-COMPRISING DOPANTS AND METHODS FOR FORMING PHOSPHOROUS-DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING PHOSPHOROUS-COMPRISING DOPANTS,申请号EP20090808697-传众专利搜索

发明名称	PHOSPHOROUS-COMPRISING DOPANTS AND METHODS FOR FORMING PHOSPHOROUS-DOPED REGIONS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING PHOSPHOROUS-COMPRISING DOPANTS
摘要
申请公布号	EP2316125(A4)	申请公布日期	2012.02.29
申请号	EP20090808697	申请日期	2009.08.18
申请人	HONEYWELL INTERNATIONAL INC.	发明人	HUANG, HONG, MIN;GAO, CAROL;DING, ZHE;PENG, ALBERT;LIU, YA, QUN
分类号	H01L21/22;H01L21/228	主分类号	H01L21/22
代理机构		代理人
主权项
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