| 发明名称 | 多晶硅电阻的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅电阻的制作方法，通过以下步骤形成多晶硅电阻：第一步，非掺杂第一层多晶硅淀积；第二步，中间绝缘层淀积；第三步，非掺杂第二层多晶硅淀积；第四步，作光刻和刻蚀，将光刻胶开出来的区域的非掺杂第二层多晶硅以及其下面的绝缘层刻蚀掉；第五步，去除光刻胶并进行高浓度离子注入掺杂第一层多晶硅和第二层多晶硅；第六步，光刻和刻蚀掺杂第一层多晶硅形成CMOS电路的栅极；第七步，完成后续CMOS工艺，制作接触孔和第一层金属线，将上下两层的掺杂多晶硅互连。本发明大约能够缩减50％的芯片占用面积，大大节省了成本，在制作大的多晶硅电阻时，这样的结构更具优势。 | ||
| 申请公布号 | CN101740639B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN200810043985.0 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 |
| 分类号 | H01L29/86(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/86(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种多晶硅电阻的制作方法，其特征在于：通过以下步骤形成多晶硅电阻：第一步，非掺杂第一层多晶硅淀积；第二步，中间绝缘层淀积；第三步，非掺杂第二层多晶硅淀积；第四步，作光刻和刻蚀，将光刻胶开出来的区域的非掺杂第二层多晶硅以及其下面的绝缘层刻蚀掉；第五步，去除光刻胶并进行高浓度离子注入掺杂第一层多晶硅和第二层多晶硅；第六步，光刻和刻蚀掺杂第一层多晶硅形成CMOS电路的栅极；第七步，完成后续CMOS工艺，制作接触孔和第一层金属线，将上下两层的掺杂多晶硅互连。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||