一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件

摘要

一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件，包括硅片、二氧化硅氧化层和涂覆层，所述将硅片上表面通过扩散氧化，得到一层能够阻挡杂质源的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层上通过涂覆机涂覆有涂覆层，所述不同掺杂区所需的掺杂浓度不同，调节二氧化硅氧化层的厚度，进而达到精确控制扩散杂质的浓度。本实用新型主要通过在硅片上氧化生成二氧化硅氧化层，控制氧化的厚度精度，达到精确控制扩散杂质的浓度，简化工艺流程，降低生产成本。

主权项

一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件，包括硅片、二氧化硅氧化层和涂覆层，其特征是，所述将硅片上表面通过扩散氧化，得到一层能够阻挡杂质源的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层上通过涂覆机涂覆有涂覆层，所述不同掺杂区所需的掺杂浓度不同，调节二氧化硅氧化层的厚度，进而达到精确控制扩散杂质的浓度。