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发明名称 GaN substrate, substrate with epitaxial layer, semiconductor device and method of manufacturing GaN substrate
摘要
申请公布号 EP2003696(B1) 申请公布日期 2012.02.29
申请号 EP20080010208 申请日期 2008.06.04
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 OSADA, HIDEKI;KASAI, HITOSHI;ISHIBASHI, KEIJI;NAKAHATA, SEIJI;KYONO, TAKASHI;AKITA, KATSUSHI;MIURA, YOSHIKI
分类号 C30B25/02;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/40;H01L29/04;H01L29/20 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
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