发明名称 |
液晶显示装置 |
摘要 |
本发明所要解决的问题是容易地修复由像素上的导电性异物引起的短路。本发明的MVA型液晶显示装置具有:第1畴限制结构,其形成于第1基板(100A)上;以及第2畴限制结构,其形成于第2基板(100B)上,第1畴限制结构具有在第1方向延伸的第1直线成分(22a)和在与第1方向相差大致90°的第2方向延伸的第2直线成分(22b),第2畴限制结构具有在第1方向延伸的第3直线成分和在第2方向延伸的第4直线成分,具有形成于第1基板上的至少一个第1电极(21)和形成于第2基板上的第2电极(41),至少一个第1电极(21)各自具有连结的开口图案,第1畴限制结构的第1直线成分和第2直线成分包含在至少一个第1电极各自具有的连结的开口图案中的任一个中。 |
申请公布号 |
CN102365577A |
申请公布日期 |
2012.02.29 |
申请号 |
CN201080014181.3 |
申请日期 |
2010.04.01 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
下敷领文一;正乐明大;山下祐树;杉坂茜;吉田昌弘;佐佐木贵启 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1337(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
北京市隆安律师事务所 11323 |
代理人 |
权鲜枝 |
主权项 |
一种液晶显示装置,是MVA型的液晶显示装置,具有:第1基板;第2基板;垂直取向型的液晶层,其设于上述第1基板与上述第2基板之间;第1畴限制结构,其形成于上述第1基板上;以及第2畴限制结构,其形成于上述第2基板上,上述第1畴限制结构具有在第1方向延伸的第1直线成分和在与上述第1方向相差大致90°的第2方向延伸的第2直线成分,上述第2畴限制结构具有在上述第1方向延伸的第3直线成分和在上述第2方向延伸的第4直线成分,上述第1直线成分和上述第2直线成分、与上述第3直线成分和上述第4直线成分中的至少一方存在多个,当从上述第1基板的法线方向观看时,上述第1直线成分和上述第3直线成分交替地配置,且上述第2直线成分和上述第4直线成分交替地配置,当对任意像素的上述液晶层施加电压时,在上述第1直线成分与上述第3直线成分之间、以及在上述第2直线成分与上述第4直线成分之间形成液晶分子倒下的方位彼此相差大约90°的四个畴,任意像素具有形成于上述第1基板上的至少一个第1电极和形成于上述第2基板上的第2电极,上述至少一个第1电极各自具有连续的开口图案,上述第1畴限制结构的上述第1直线成分和上述第2直线成分包含在上述至少一个第1电极各自具有的上述连续的开口图案中的任一个中。 |
地址 |
日本大阪府 |