发明名称 优化形成在基板上的掩模图案的方法
摘要 一种优化形成在基板上的掩模图案的方法,对于图案的多个部分的每个部分,在多个估测点的每一个处确定靶部图像和预定图像之间的偏差。确定偏差的步骤包括:识别多个部分的每一部分的部分类型;以及确定每个部分类型是不是对应于所述图案的角,当所述部分类型对应于角时,进一步包括识别角是凹入角还是凸出角的步骤,并且当角是凹入角时,使用多个估测点的最小偏差值确定偏差;当角是凸出角时,使用多个估测点的最大偏差值确定偏差。当所述部分类型不对应于所述角时,确定所述部分的每个估测点处的偏差。一旦完成所有部分的偏差值确定,基于多个估测点的确定的偏差确定每个部分处的掩模图案的修改量;以及基于确定的修改量修改每个部分处的掩模图案。
申请公布号 CN1749861B 申请公布日期 2012.02.29
申请号 CN200510068537.2 申请日期 2005.03.31
申请人 ASML蒙片工具有限公司 发明人 M·F·A·尤龄斯;M·穆德尔;T·莱迪;U·霍勒巴克
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种优化形成在基板上的掩模图案的方法,包括下述步骤:(a)对于所述图案的多个部分的每个部分,在多个估测点的每一个处确定所述掩模图案的靶部图像和所述掩模图案的预定图像之间的偏差,其中确定偏差的步骤包括下面的步骤:识别多个部分的每一部分的部分类型;以及确定每个部分类型是不是对应于所述图案的角,当所述部分类型对应于所述角时,进一步包括识别所述角是凹入角还是凸出角的步骤,并且当所述角是凹入角时,进一步包括下面的步骤:使用多个估测点的最小偏差值确定偏差;以及当所述角是凸出角时,进一步包括下面的步骤:使用多个估测点的最大偏差值确定偏差;当所述部分类型不对应于所述角时,确定所述部分的每个估测点处的偏差;(b)一旦完成所有部分的偏差值确定,基于所述多个估测点的确定的偏差确定每个部分处的所述掩模图案的修改量;以及(c)基于步骤(b)确定的所述修改量修改每个部分处的掩模图案。
地址 荷兰维尔德霍芬