| 发明名称 | 包括外延生长在单晶衬底上的石墨烯层的器件 | ||
| 摘要 | 一种电子器件包括本体，所述本体包括所述本体的主要表面上的单晶区域。所述单晶区域具有与石墨烯基本晶格匹配的六边形晶体点阵，并且在所述单晶区域上设置至少一个石墨烯外延层。在目前优选实施例中，所述单晶区域包括多层六边形BN。一种制造这种电子器件的方法包括以下步骤：(a)提供本体，所述本体包括在所述本体的主要表面上的单晶区域。所述单晶区域具有与石墨烯基本晶格匹配的六边形晶体点阵，以及(b)在所述区域上外延形成至少一个石墨烯层。在目前优选实施例中，步骤(a)进一步包括以下步骤：(a1)提供单晶石墨衬底，以及(a2)在所述衬底上外延形成多层单晶六边形BN。所述六边形BN层具有与石墨烯基本晶格匹配的表面区域，并且步骤(b)包括在所述六边形BN层的所述表面区域上外延形成至少一个石墨烯层。描述了对FET的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101385126B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN200780005630.6 | 申请日期 | 2007.02.13 |
| 申请人 | 朗讯科技公司 | 发明人 | L·N·普菲菲尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孟锐 |
| 主权项 | 一种具有石墨烯层的器件，包括：本体，所述本体包括在所述本体的主表面上的单晶电绝缘的第一区域，所述第一区域具有六边形晶体点阵，以及设置在所述本体的所述第一区域上的至少一个石墨烯外延层；以及设置在所述至少一个石墨烯层上的多层单晶电绝缘的第二区域，所述第二区域在其每层内具有六边形晶体点阵，所述第一区域和第二区域与石墨烯晶格匹配，使得所述第一区域和第二区域与所述至少一个石墨烯层晶格失配小于2％。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||