利用等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法

摘要

通过利用高频激发的等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，在较低温度下以低成本和高生产性形成结晶度高的多晶硅系薄膜。在以下条件下成膜：成膜时的气体压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，导入成膜室内的稀释气体的导入流量Md和成膜原料气体的导入流量Ms的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述压力等的组合作为利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由结晶硅成分引起的Ic与由非晶硅成分引起的Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的组合，形成多晶硅系薄膜。

主权项

利用等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，它是在成膜室内导入含硅原子的成膜原料气体及稀释气体或仅导入该成膜原料气体，通过高频激发将该导入气体等离子体化，在该等离子体中，在被配置于该成膜室内的被成膜基板上形成硅系薄膜的利用等离子体CVD法的硅系薄膜的形成方法，其特征在于，在以下条件下成膜：成膜时的成膜室内压力在0.0095Pa～64Pa的范围内选择确定，成膜时导入所述成膜室内的所述稀释气体的导入流量Md[sccm]和所述成膜原料气体的导入流量Ms[sccm]的比值(Md/Ms)在0～1200的范围内选择确定，成膜时的高频功率密度在0.0024W/cm3～11W/cm3的范围内选择确定，同时将成膜时的等离子体电势维持在25V以下，将成膜时的等离子体中的电子密度维持在1×1010个/cm3以上；且所述选择确定的成膜时的成膜室内压力、成膜原料气体和稀释气体的导入流量比(Md/Ms)、高频功率密度、所述应维持的等离子体电势及等离子体中的电子密度的组合，作为获得利用激光拉曼散射分光法的膜中硅的结晶性评价中由该膜中的结晶硅成分引起的拉曼散射峰强度Ic与由非晶硅成分引起的拉曼散射峰强度Ia的比值(Ic/Ia＝结晶度)达到8以上的多晶硅系薄膜的组合，通过成膜形成多晶硅系薄膜。