扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法

摘要

本发明涉及一种扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法，在扩散工艺处理完之后，并不立即去除正面由于扩散所形成的硅氧化层(如BSG、PSG)，而是在该氧化层上再镀一层薄膜，以此双层膜作为后续快速去除背面结以及背扩散制背面电场工序中的掩膜使用。然后在后清洗工序中用氢氟酸将正面的薄膜、硅氧化层层及背面的硅氧化层一并去除。采用本发明可以快速去除扩散形成的背结，优化生产工艺流程，大幅缩短的电池生产制造时间，可以进行大规模生产。

主权项

一种扩散氧化层二次利用的太阳能电池制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2)扩散形成P‑N结，方阻20‑100ohm/Sq；3)保留硅氧化层的同时正面PECVD沉积薄膜；4)背面场扩散，方阻为30‑150ohm/sq；5)用HF溶液清洗去除正面薄膜、硅氧化层及背面的硅氧化层；6)等离子刻蚀或激光刻边；7)正面镀Al2O3钝化膜及SiNx减反钝化膜，背面沉积SiNx薄膜或SiO2与SiNx的叠层膜；8)正面印刷金属栅线，然后烘干；背面印刷金属栅线，然后烧结，测试。