裸片堆叠密封结构的形成方法

摘要

本发明提供一种裸片堆叠结构的形成方法。该方法包括如下步骤：多个裸片分别接合至晶片的第一表面上的多个半导体芯片之一。在多个裸片及晶片的第一表面上形成有封装结构。封装结构覆盖该晶片的中心部分的第一表面，并露出该晶片的边缘部分。保护材料则形成于晶片的第一表面的边缘部分上。本发明的形成方法使晶片中较脆弱的层状结构如低介电常数层较不会产生碎裂、剥离、或分层等现象，可大幅提升封装工艺的合格率。

主权项

一种裸片堆叠密封结构的形成方法，包括：提供一晶片，该晶片具有一第一表面及一第二表面，且该晶片的第一表面上包括多个半导体芯片；提供多个裸片，且每一裸片都分别接合至该第一表面上的所述多个半导体芯片中对应的一个；形成一封装结构于所述多个裸片及该晶片的第一表面上，其中该封装结构包覆该晶片的中心部分的第一表面，并露出该晶片的边缘部分；以及移除该晶片的边缘部分，其中该晶片的保留部分的边缘与该封装结构的边缘之间的距离小于0.5mm。