沟槽结势垒可控肖特基二极管

摘要

本发明提供一种肖特基二极管，其包含至少一个开设在具有第一电传导型掺杂物的半导体衬底上的沟槽，其中，该沟槽由肖特基结势垒金属填充。该肖特基二极管还包含一个或多个具有第二电传导型的掺杂区，该掺杂区包围沟槽侧壁，并沿着该沟槽的深度分布，用以屏蔽反向漏电流穿过该沟槽的侧壁。该肖特基二极管还包含一包围沟槽底部表面的具有第二电传导型的底部掺杂区，以及一包围沟槽侧壁顶端部分的具有第二电传导型的顶部掺杂区。在一较佳实施例中，该第一电传导型是N-型电传导型，且中间深度掺杂区包含有一P-掺杂区。

主权项

一种肖特基二极管，其特征在于，包含：至少一沟槽，其开设在由第一电传导型掺杂物掺杂的半导体衬底上，所述的沟槽侧壁上填满肖特基势垒金属；一具有第二电传导型的顶部掺杂区，其包围该沟槽侧壁的顶端部分；和一具有第二电传导型的底部掺杂区，其包围该沟槽的全部底部角落区域，并且延伸遍布至该沟槽的底部下方的区域；该沟槽侧壁上填满肖特基势垒金属的区域直接与由第一电传导型掺杂物掺杂的半导体衬底连接接触。