发明名称 |
一种制备含SiO<sub>2</sub>的金属氧化物复合薄膜的方法 |
摘要 |
一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法,首先在硅片(1)表面丝印一层金属浆料,烧结后,再在强酸性溶液中去除硅片(1)表面的金属电极层和金属与硅的合金层(3);然后清洗硅片表面痕迹,得到该金属的有效掺杂层(2);或再将该硅片(1)在碱性刻蚀溶液中刻蚀10s-12min,得到掺该金属的有效掺杂层内层(2);然后采用阳极氧化的方法制得含SiO2的金属氧化物复合薄膜(4)。再经过退火,即可得到所需的薄膜。 |
申请公布号 |
CN102005500B |
申请公布日期 |
2012.02.29 |
申请号 |
CN201010277009.9 |
申请日期 |
2010.09.09 |
申请人 |
中国科学院电工研究所 |
发明人 |
张俊;王文静;周春兰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;C25D11/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 |
代理人 |
关玲 |
主权项 |
一种制备含SiO2的金属氧化物复合薄膜的方法,首先选取P型或N型硅片,所述的硅片经过标准的RCA清洗,或经制绒清洗,或在清洁的硅片上经过磷或硼扩散,沉积氧化硅薄膜或氮化硅薄膜,其特征在于,所述的制备方法还包括以下工艺步骤:(1)丝印金属浆料:在经除去表面污染或经过磷或硼扩散,沉积氧化硅薄膜或氮化硅薄膜的清洁硅片(1)上丝印所需要的图形,然后在温度高于所述金属和硅共熔的合金点以上的烧结炉中烧结2s~10min;(2)制备掺所述第(1)步中的金属的有效掺杂层:将步骤(1)制得的硅片浸入强酸溶液中,加热去除所述硅片的金属电极层和金属与硅的合金层;然后取出硅片,清洗硅片表面痕迹,得到所述金属的有效掺杂层;或再将硅片置于碱性溶液中刻蚀10s‑12min,得到所述金属的有效掺杂层内层;(3)阳极氧化:将步骤(2)制备得到的硅片置于阳极氧化设备的电极阳极端,加电压,使所述硅片在导电溶液中反应2‑600min;电极阴极选用任何不与导电溶液反应的导电电极或硅片;之后,取出硅片吹干,得到含SiO2的金属氧化物复合薄膜;(4)退火:将步骤(3)制得的复合膜在烧结炉或真空退火炉中退火,即可得到具有钝化效果或绝缘特性的含SiO2的金属氧化物复合薄膜。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北二条6号 |