| 发明名称 | 金属氮化膜的成膜方法和存储介质 | ||
| 摘要 | 向腔室内搬入被处理基板的晶片，将腔室内保持于真空状态，加热晶片，同时向腔室内交替地供给TiCl4气体和MMH气体，在晶片上形成TiN膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102365386A | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN201080013870.2 | 申请日期 | 2010.03.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 成嶋健索;柿本明修;堀田隼史 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种金属氮化膜的成膜方法，其特征在于，包括：向处理容器内搬入被处理基板，将所述处理容器内保持于减压状态的工序；将所述处理容器内的被处理基板保持于400℃以下的温度的工序；和向所述处理容器内交替地供给金属氯化物气体和肼类化合物气体，在被处理基板上形成金属氮化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||