发明名称 淀积设备以及用于淀积膜的方法
摘要 当用多种气体淀积膜时,表现出增强的气体利用效率并表现出改善的淀积特性。淀积设备(100)包括:反应室(102),用于淀积膜;第一气体提供线路(112)和第二气体提供线路(152),分别用于将第一源材料(A)和气体(B)提供到反应室(102);和激励单元(106),其能够激励反应室(102)中所提供的气体,以形成等离子体。在具有这种构造的淀积设备(100)中,通过以下操作进行淀积操作:第一操作,用于将由第一源材料(A)获得的气体和气体(B)提供到反应室(102)中,以促使在衬底上吸收由第一源材料A得到的气体,从而形成淀积层;和第二操作,用于将第二气体提供到反应室(102)中,并利用处于被等离子体激励的条件下的气体处理淀积层。
申请公布号 CN101021005B 申请公布日期 2012.02.29
申请号 CN200710005795.5 申请日期 2007.02.13
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 古谷晃
分类号 C23C16/513(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/513(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 孙志湧;陆锦华
主权项 一种淀积设备,包括用于淀积的反应室;气体提供系统,用于将第一气体和第二气体提供到所述反应室中;切换单元,用于在第一步骤中的提供所述第一气体到所述反应室中和在第二步骤中的停止提供所述第一气体到所述反应室中之间切换,其中,在第一步骤中,将所述第一气体和所述第二气体提供到所述反应室中,在所述第二步骤中,仅将所述第二气体提供到所述反应室中;激励单元,用于对提供到所述反应室中的气体进行激励,以产生等离子体;以及控制单元,能够控制所述激励单元,使得在所述第一步骤期间所述激励单元不执行将气体激励成等离子体,以及在所述第二步骤期间所述激励单元执行将气体激励成等离子体,其中,在所述第一步骤中,在衬底上吸收所述第一气体,以形成淀积层,在所述第二步骤中,被激励成等离子体的所述第二气体处理所述淀积层。
地址 日本神奈川