| 发明名称 | 通过体偏压调节器减小的栅极电压限制 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于减小对动态阈值MOS(DTMOS)晶体管的栅极电压(Vgg)幅度的限制的配置，该配置可以包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压(Vbb)调节器(Vbb调节器)电路，用于将该MOS晶体管的经过调整的Vgg作为动态体偏压(Vbb)提供给该MOS晶体管的主体。 | ||
| 申请公布号 | CN1652465B | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN200510004199.6 | 申请日期 | 2005.01.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳赫株;姜熙晟;金景洙 |
| 分类号 | H03K19/00(2006.01)I;H03K19/0948(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽;马莹 |
| 主权项 | 一种用于减小对动态阈值MOS晶体管的栅极电压Vgg幅度的限制的装置，该装置包括：包含栅极和主体的MOS晶体管；以及体偏压Vbb调节器电路，用于调节该MOS晶体管的Vgg并且将调节后的Vgg作为动态体偏压提供给该MOS晶体管的主体，其中所述体偏压Vbb调节器电路包括：连接在所述MOS晶体管栅极和系统电压之间的分压电路；该分压电路包括在第一结点处连接的缓冲器电路和二极管电路，所述MOS晶体管的主体连接到该第一结点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||