一种铜互连的形成方法

摘要

本发明涉及一种铜互连结构的形成方法，包括在半导体基底上淀积一介电层；采用光刻、刻蚀工艺，在所述介电层内形成通孔和/或沟槽；在所述通孔和/或沟槽的底部和侧壁淀积金属阻挡层；在金属阻挡层上淀积铜籽晶层并在所述通孔和/或沟槽内填充金属铜，使得金属铜的表面低于所述介电层的表面，从而在通孔和/或沟槽内形成铜金属层以及铜金属层上的铜凹槽；在所述铜金属层的表面和所述介电层表面上淀积一层可防铜扩散阻挡层；采用化学机械研磨去除介电层上的可防铜扩散介电阻挡层，同时铜金属层表面上保留有可防铜扩散介电阻挡层。本发明也可用于制造多层铜互连。

主权项

一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底，在所述半导体基底上淀积一介电层；采用光刻、刻蚀工艺，在所述介电层内形成通孔和/或沟槽；在所述通孔和/或沟槽的底部和侧壁淀积一金属阻挡层；在金属阻挡层上淀积铜籽晶层并在所述通孔和/或沟槽内填充金属铜，使得金属铜的表面低于所述介电层的表面，从而在通孔和/或沟槽内形成铜金属层以及铜金属层上的铜凹槽；在所述铜金属层的表面和所述介电层表面上淀积一层可防铜扩散阻挡层；采用化学机械研磨去除介电层上方的可防铜扩散介电阻挡层，在铜金属层表面上保留有一部分可防铜扩散介电阻挡层。