发明名称 半导体元件用基板的制造方法及半导体器件
摘要 一种半导体元件用基板的制造方法,其包括如下处理:在金属板的第一面设置第一感光性树脂层;在上述金属板的与上述第一面不同的第二面上设置第二感光性树脂层;在上述金属板的上述第一面上形成用于形成连接用接线柱的第一蚀刻用掩膜;在上述金属板的上述第二面上形成用于形成布线图案的第二蚀刻用掩膜;从上述第一面侧进行蚀刻直到上述金属板的中途为止,从而形成上述连接用接线柱;向上述第一面的不存在上述连接用接线柱的部分填充预成型用树脂;以使上述第一面的上述连接用接线柱的高度低于周围的上述预成型用树脂的高度的方式对上述第一面的上述连接用接线柱进行加工;对上述第二面进行蚀刻,来形成上述布线图案。
申请公布号 CN102365736A 申请公布日期 2012.02.29
申请号 CN201080014227.1 申请日期 2010.03.17
申请人 凸版印刷株式会社 发明人 马庭进;塚本健人;户田顺子
分类号 H01L23/50(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/50(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 聂宁乐;向勇
主权项 一种半导体元件用基板的制造方法,其特征在于,包括如下处理:在金属板的第一面设置第一感光性树脂层;在上述金属板的与上述第一面不同的第二面上设置第二感光性树脂层;根据第一图案,选择性地对上述第一感光性树脂层进行曝光并显影,由此在上述金属板的上述第一面上形成用于形成连接用接线柱的第一蚀刻用掩膜,该第一蚀刻用掩膜由进行过显影的上述第一感光性树脂层构成;根据第二图案,选择性地对上述第二感光性树脂层进行曝光并显影,由此在上述金属板的上述第二面上形成用于形成布线图案的第二蚀刻用掩膜,该第二蚀刻用掩膜由进行过显影的上述第二感光性树脂层构成;在形成了上述第一蚀刻用掩膜及上述第二蚀刻用掩膜掩膜之后,从上述第一面侧进行蚀刻直到上述金属板的中途为止,从而形成上述连接用接线柱;向上述第一面的不存在上述连接用接线柱的部分填充预成型用树脂;以使上述第一面的上述连接用接线柱的高度低于周围的上述预成型用树脂的高度的方式对上述第一面的上述连接用接线柱进行加工;对上述第二面进行蚀刻,来形成上述布线图案。
地址 日本国东京都