以密闭式晶胞结构增加信道密度的次微米平面半导体功率器件

摘要

一种位于半导体衬底上的半导体功率器件，其包含有数个晶体管晶胞，而每一个晶胞具有一源极与一漏极区域，位于半导体衬底上的栅极区域的两侧。一栅极电极以电极层方式形成于栅极区域顶部，以控制源极与漏极区域间传输的电流。位于该半导体衬底顶部的栅极电极层被图案化为波状的长条，以本质上增加源极与漏极区域间且越过栅极的电流传导面积。

主权项

一种半导体功率器件，其位于一半导体衬底上，特征在于，该半导体功率器件包含：数个晶体管晶胞，每一个晶体管晶胞具有一源极与一漏极区域，位于该半导体衬底上的栅极区域的两侧，其中栅极电极被形成为一位于栅极区域顶部的栅极电极层，以控制该源极与漏极区域间的电流传输；所述的位于半导体衬底顶部的栅极电极层被图案化为波状的长条，以实质上增加介于该源极与漏极区域间越过栅极的电流传导面积；一第一绝缘层，其覆盖该半导体器件并且具有数个贯穿第一绝缘层的接触点开口槽，该接触点开口槽填满源极金属接触点与漏极金属接触点，以供各自与该源极与本体区域进行接触；一第一金属层，其被图案化为数个金属条，其包含数个与源极金属接触点接触的源极金属条和数个与漏极金属接触点接触的漏极金属条；一第二绝缘层，其覆盖所述的金属条，其中该第二绝缘层具有数个穿透其本身的源极中介窗接触点与漏极中介窗接触点，以各自连接至源极金属条以及漏极金属条；以及一第二金属层，其位于第二绝缘层顶部，并且被图案化为一源极金属和一漏极金属，以各自连接至源极中介窗接触点与漏极中介窗接触点；其中，所述的源极金属条和漏极金属条分别具有不同的宽度，该源极金属条的下方部分比该源极金属条的上方部分宽，以减少该下方部分的源极电阻，并且该源极金属条的上方部分具有一较窄的宽度，以供漏极金属条的上方部分具有较大的宽度，以减少在上方部分的漏极电阻。