| 发明名称 |
Method for generating n type layer in p type silicon plate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL210683(B1) |
申请公布日期 |
2012.02.29 |
| 申请号 |
PL20040364614 |
申请日期 |
2004.01.28 |
| 申请人 |
INSTYTUT TECHNOLOGII ELEKTRONOWEJ |
发明人 |
JUNG WOJCIECH;MISIUK ANDRZEJ;ANTONOWA IRINA V. |
| 分类号 |
H01L21/34;H01L21/00;H01L21/26;H01L21/425 |
主分类号 |
H01L21/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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