| 发明名称 | 用于具有缩小的栅极电极间距的非对称晶体管的梯度阱注入 | ||
| 摘要 | 在复杂半导体器件中，可基于非对称阱注入获得非对称晶体管组态，同时避免倾斜注入工艺。为此目的，可形成梯度注入掩模，例如梯度抗蚀剂掩模，该掩模在该非对称晶体管的漏极侧可具有比源极侧高的离子阻挡能力。例如，可基于具有高度性能增益的非倾斜注入工艺获得该非对称组态，并且该非对称组态的实现与考虑中的技术标准无关。 | ||
| 申请公布号 | CN102365714A | 申请公布日期 | 2012.02.29 |
| 申请号 | CN201080014188.5 | 申请日期 | 2010.01.27 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | R·马尔芬格;A·韦;J·亨齐尔;V·帕帕耶奥尔尤 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在半导体区域上方形成注入掩模，该注入掩模在晶体管的第一晶体管内部区域上方具有第一离子阻挡功能，以及在该晶体管的第二晶体管内部区域上方具有第二离子阻挡功能，该第一离子阻挡功能与该第二离子阻挡功能彼此不同；基于该注入掩模向该第一及第二晶体管内部区域内注入阱掺杂种；以及在该半导体区域的沟道区上方形成栅极电极，该沟道区横向隔离该第一与第二晶体管内部区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||