等离子体蚀刻方法

摘要

本发明提供了一种等离子体蚀刻方法。一种对衬底进行处理的方法，其用于当在所述衬底上形成掩模图案之后通过蚀刻处理来形成期望的图案，该方法包括以下步骤：在衬底上形成两个层；测量掩模图案以及两个层中一者的蚀刻图案的宽度；以及基于所测量的宽度来调整用在蚀刻处理中的HBr和其他气体中任何一者的流速。这两个层可以包括氮化硅层和有机电介质层。

主权项

一种对衬底进行处理的方法，其用于当在所述衬底上形成掩模图案之后通过蚀刻处理来形成期望的图案，所述方法包括以下步骤：在所述衬底上形成两个层，所述两个层包括氮化硅层以及有机电介质层；测量所述掩模图案或所述两个层中一者的蚀刻图案的宽度；以及基于所测量的宽度来调整HBr和其他气体中任何一者的流速，HBr和所述其他气体被用在所述蚀刻处理中。