栅极侧墙形成方法、MOS器件制造方法以及MOS器件

摘要

本发明提供栅极侧墙形成方法、MOS器件制造方法以及MOS器件。栅极侧墙形成方法包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于通过沉积在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜，其中等离子体的引入方向向栅极一侧倾斜，以使得栅极一侧的栅极侧壁上形成的侧墙薄膜较厚，而栅极另一侧的侧壁上形成的侧墙薄膜较薄；以及侧墙薄膜刻蚀步骤，用于对侧墙薄膜进行刻蚀，以形成源极侧侧墙宽度减小的侧壁以及漏极侧侧墙宽度增大的侧壁。MOS器件制造方法还包括源漏掺杂步骤，用于漏极和源极掺杂。漏端的掺杂离子离沟道距离拉远，源端的掺杂离子与沟道的距离拉近，降低了漏端的纵向电场强度，减小了器件热载流子注入损伤。

主权项

一种栅极侧墙形成方法，其特征在于包括：栅极侧墙薄膜形成步骤，用于通过沉积在栅极侧壁上形成栅极侧墙薄膜，其中反应物等离子体的引入方向向栅极一侧倾斜，以使得所述栅极一侧的栅极侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较厚，而栅极另一侧的侧壁上形成的栅极侧墙薄膜较薄；以及栅极侧墙薄膜刻蚀步骤，用于对所述栅极侧墙薄膜进行刻蚀，以形成源极侧侧墙宽度减小的栅极侧壁以及漏极侧侧墙宽度增大的栅极侧壁，由此使源极侧栅极侧壁小于漏极侧栅极侧壁。