| 主权项 |
1.一种利用液相沈积法制作快闪记忆单元的方法,其包括如下步骤:(Ⅰ)在一基板上界定出快闪记忆单元的源极区域及汲极区域,然后在此源极区域和汲极区域之间形成一堆叠闸极;(Ⅱ)形成一光阻,以完全覆盖前述汲极区域;(Ⅲ)利用一离子植入的步骤,将低掺植量的 N 型杂质植入前述源极区域中,以形成一低浓度 N 型杂质掺植区域;(Ⅳ)利用液相沈积法在未被光阻覆盖的区域上形成一氧化物;(Ⅴ)除去前述光阻,然后再将前述低浓度 N 型杂质加热驱入至前述基板的较深区域中;(Ⅵ)利用一离子植入的步骤,将高掺植量的 P 型杂质植入前述汲极区域中,以形成一高浓度 P 型杂质掺植区域;(Ⅶ)除去前述氧化物;(Ⅷ)用一离子植入的步骤,植入高掺植量的 N型杂质,以分别在前述汲极区域的高浓度P型杂质掺植区域内和前述源极区域的低浓度 N 型杂质掺植区域内形成高浓度 N型杂质掺杂区域。2.如申请专利范围第1项所述的方法,其中,形成前述低浓度 N 型杂掺质植区域的方式为植入磷离子,且掺植量约为2E14/cmC^2C至6E14/cmC^2C,植入能量则约为60至80KeV。3.如申请专利范围第2项所述的方法,其中,形成前述高浓度 P 型杂掺植区域的方式为植入硼离子,且掺植量约为2E14/cmC^2C至4E13/cmC^2C,植入能量则约为30KeV。4.如申请专利范围第3项所述的方法,其中,形成前述高浓度 N 型杂掺植区域的方式为植入砷离子,且掺植量约为2E15/cmC^2C至5E15/cmC^2C,植入能量则约为80KeV。第1图系说明习知快闪记忆单元架构的剖面图;第2图系说明一种改良的习知快闪记忆单元架构的剖面图;第3图系说明另一种改良习知快闪记忆单元架构的剖面图;第4图系显示选择性液相沈积法之装置的示意图;第5a图至第5e图系说明利用本发明之方法制作第3图所示的快闪记 |
