一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件

摘要

一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件包括IGBT主芯片、P+衬底层、硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、PNP三极管P区、PN二极管区，所述P+衬底层设置在硅片下方，该硅片热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅并光刻多晶硅区形成栅极导电层；所述多晶硅上淀积有二氧化硅作为该多晶硅上保护层，光刻淀积的二氧化硅，同时将源极上的淀积二氧化硅腐蚀掉。IGBT主芯片外面边缘还设有PNP三极管P区和PN二极管P区，该PNP三极管P区、PN二极管P区是利用IGBT主芯片中的P+注入形成。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，具有很强的经济性和实用性。

主权项

一种保护栅源电极与栅漏电极的IGBT功率器件，包括IGBT主芯片、P+ 衬底层、硅片、栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅层、PNP三极管P区、PN二极管区；其特征是，所述P+ 衬底层设置在硅片下方，该硅片热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅并光刻多晶硅区形成栅极导电层；所述多晶硅上淀积有二氧化硅作为该多晶硅上保护层，光刻淀积的二氧化硅，利用胶保护栅极上的二氧化硅，同时将源极上的淀积二氧化硅腐蚀掉（即将源极的导电窗口打开），IGBT主芯片外面边缘还设有PNP三极管P区和PN二极管P区，其中PNP三极管P区、PN二极管P区是利用IGBT主芯片中的P+注入形成。